试验目的
高温试验的目的是考核高温对电子元器件的影响，确定电子元器件在高温条件下工 作和储存的适应性。
试验原理
有严重缺陷的电子元器件处于非平衡态，这是一种不稳定态，由非平衡态向平衡态的 过渡过程既是诱发有严重缺陷产品失效的过程，也是促使产品从非稳定态向稳定态的过 渡过程。这种过渡一般情况下是物理变化，其速率遵循阿伦尼乌斯公式,随温度成指数增 加。高温应力的目的是为了缩短这种变化的时间。所以该实验又可以视为一项稳定产品 性能的工艺。
电子元器件在髙温环境中，其冷却条件恶化，散热困难,将使器件的电参数发生明显 变化或绝缘性能下降。如：在高温条件下，存在于半导体器件芯片表面及管壳内的杂质 加速反应，促使沾污严重的产品加速退化。此外,高温条件对芯片的体内缺陷、硅氧化层 和铝膜中的缺陷，以及不良的装片、键合工艺等也有一定的检验效果。
试验设备
试验设备主要有髙温箱（高温室)和温度计。高温箱或高温室提供一定的高温场所 (环境）;温度计用于测景和监控试验温度。还要有测量电性能参数的电测量系统。
试验程序和方法
①初始测量：将试验样品放置在正常大气条件下，使之达到温度稳定。然后按有关 标准规定对试样进行电性能、机械性能及外观检查。
②试验：按有关标准规定，选定髙温温度及加高温时间,采用下述方法之一进行试
验。
对带温度冲击的试验：先将高温箱温度调到规定值，再将试样放入箱内;试验时间从 箱温恢复到规定值时算起。
对不带温度冲击的试验：先将试样放入箱内，再把箱温调到规定值;试验时间从箱温 达到规定值时算起。
③试验过程屮是否加负荷：这应按有关标准规定进行。
④中间测量：当试样处于高温时，按有关标准规定对其试样进行电性能、机械性能 及外观检查。
⑤恢复：试验结束后，将试样从箱内取出。在正常大气条件下再恢复1?2小时。
⑥最后测童：按有关标准规定，对试样进行电性能、机械性能及外观检查。
例如，半导体集成电路总技术条件规定;将一、二类电路分别放在高温箱中试验，其一 类产品的试验温度为（125土3)eC;二类产品的试验温度为(85士2)C;恒温时间为30分 钟。在这些条件下测量电参数，应符合产品标准的规定。又如，微电路温度应力范围为 75°C?400°C,试验时间为24小时以上。试验前后被试样品要在标准试验环境中，即温度 为(25±10)°C、气压为86?106kPa的环境中放置一定时间。多数的情况下，要求试验后 在规定的时间内完成终点测试。